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삼성, 중국에 낸드 플래시 공장 설립

삼성전자가 중국에 낸드 플래시 메모리 생산라인을 짓겠다고 제출한 기술 수출 신고를 정부가 4일 최종 수리했다.



정부, 반도체 기술 수출 신고 수리
3조~5조 투자 … 기술 유출 대책도

대신 정부는 불법 기술 유출이 일어나지 않도록 삼성전자에 대책을 세우도록 하고, 그 운영 실태를 정기적으로 점검하겠다고 밝혔다. 삼성전자는 중국 투자와 함께 앞으로 국내에 반도체 투자를 늘리겠다는 내용의 보완대책도 마련했다. 삼성전자는 12월 6일 중국에 MP3·휴대전화 등에 쓰이는 낸드 메모리 생산라인을 건설하겠다는 내용의 신청서를 냈다. 삼성전자가 해외에 반도체 공장을 짓는 건 미국 오스틴에 이어 두 번째다. 이 공장에선 10나노급 낸드 메모리가 생산될 예정이다. 국내에서 올해 양산할 예정인 최신 제품이다. 월 생산규모는 12인치 웨이퍼 10만 장 수준으로 국내외에 있는 16개 반도체 라인 중 중간급 정도의 생산능력이다.



 이날 신고가 수리됨에 따라 삼성전자는 연초 공장 부지 선정과 중국 내 인허가 절차를 마무리할 계획이다. 구체적 입지는 아직 정해지지 않았지만 삼성전자는 용수·도로·물류 등 기본적 입지 조건, 거래업체와의 접근성, 토지 임대 조건 등을 두루 검토하겠다는 방침이다. 삼성전자 관계자는 “올 상반기 착공해 내년 하반기부터 양산에 들어갈 예정”이라고 말했다. 투자 규모는 아직 확정되지 않았지만 첨단 반도체 생산라인을 지으려면 통상 3조~5조원이 들어간다.



 이번 결정과 관련해 정부는 신중한 검토 과정을 거쳤다. 정부와 민간 전문가로 구성된 산업기술보호 전문위원회는 이번에 삼성 측에 기술 유출 대책과 함께 국내 투자 축소 우려에 대한 보완대책도 요청했다. 중국 진출로 국내 투자가 축소될 수 있다는 우려가 나왔기 때문이다.
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