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삼성, 세계 첫 10나노 메모리 시제품 내놔

삼성전자가 반도체 개발의 기술적 한계를 또 한번 뛰어넘었다.



“이르면 내년 상반기 양산”

 이 회사는 삼성그룹 내 연구진을 대상으로 11일까지 여는 ‘삼성 기술전 2011’에서 세계 최초로 10나노급 낸드플래시 메모리 제품을 선보였다. 삼성종합기술원에서 개발한 시제품이다.



삼성전자 관계자는 “아직 테스트 칩 단계라 양산 시기를 못박기는 어렵다. 기술 확보 차원에서 봐 달라”면서도 “열심히 준비하면 내년 상반기 중 양산에 들어갈 수도 있을 것”이라고 덧붙였다.



 삼성전자는 올 5월 세계 최초로 20나노급 낸드플래시 기반의 마이크로SD카드 양산에 들어간 바 있다. 하지만 10나노급 제품 양산은 이와 차원이 다른 문제다. 10나노급 제품은 그간 반도체 기술의 ‘물리적 한계점’으로 여겨져 왔다. 10나노란 반도체 회로의 선폭(전선 간격)이 10나노미터(㎚·1㎚는 10억 분의 1m)라는 의미다. 20나노급까지는 셀 구조 개선이나 신물질 적용 같은 방법으로 도달이 가능하지만 10나노급부터는 미세화에 새로운 기술이 필요하다는 게 업계의 설명이다. 한계를 뛰어넘으려면 막대한 투자가 필요한데, 삼성전자가 이를 과감히 밀어붙임으로써 경쟁사들과의 기술 격차를 계속 유지할 수 있는 발판을 마련했다는 분석이다. 나노 공정을 미세화할수록 반도체 칩 크기가 작아져 웨이퍼당 생산량이 늘어난다. 제조 단가가 낮아짐에 따라 경쟁력은 크게 높아진다.



 한편 전동수 삼성전자 메모리사업부 사장은 최근 기자들과 만나 “발상을 전환하면 기술적 한계는 뛰어넘을 수 있다. 끊임없는 혁신을 통해 10나노 이하로 계속 발전해 나갈 수 있을 것”이라고 말했다.



이나리 기자
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