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삼성, 10배 빨라진 낸드플래시 내년 양산

삼성전자가 기존 제품 처리 속도의 10배까지 빠른 차세대 낸드플래시를 내년부터 양산한다. 이 회사는 400Mbps 속도로 데이터 처리가 가능한 ‘토글(Toggle) DDR2.0’ 규격의 낸드플래시 개발을 최근 완료했다고 22일 밝혔다. 이에 따라 내년부터 20나노급 이하 낸드플래시 전 제품에 이 기술을 적용해 출시할 계획이다. 토글 DDR2.0 낸드플래시는 데이터 처리 속도가 기존 SDR 방식의 범용 제품(40Mbps)의 10배, 토글 DDR1.0 방식 고속 낸드플래시(133Mbps)의 3배에 해당한다.



특히 그동안 전 세계 시장을 양분해온 일본의 도시바가 최근 토글 DDR2.0의 표준화 작업에 참여키로 결정하면서 삼성전자의 낸드플래시 경쟁력은 더욱 높아졌다.



삼성전자는 제품 양산과 함께 이 규격이 국제 표준으로 자리 잡을 수 있도록 세계반도체표준협의기구(JEDEC) 표준 등록을 제안한 데 이어 내년 초까지 등록을 완료할 계획이다. 이 회사 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀장인 전동수 부사장은 “고속 낸드플래시는 4세대 스마트폰과 태블릿PC 등 차세대 정보기기에 탑재되는 등 수요가 점점 급증할 낸드플래시 시장의 핵심 전략 칩”이라고 말했다.



 문병주 기자



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