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삼성전자, 초절전 40나노급 4Gb D램 양산

삼성전자가 40나노급 생산공정을 이용한 4Gb(기가비트) DDR3 D램을 세계 처음으로 양산한다고 24일 밝혔다. 지난해 7월 40나노급 2Gb DDR3 D램 양산을 시작한 지 7개월 만이다. 이 반도체를 탑재한 서버(중형 컴퓨터)와 데스크톱·노트북 PC는 기존 제품보다 주메모리 용량이 두 배로 늘어난다.



용량 2Gb 두 배지만 전력 덜 들어

전동수 부사장은 “초절전 기술이 담겨 주메모리 용량은 늘어나는데 소비 전력은 줄었다. 대용량 메모리가 필요한 서버뿐 아니라 PC에도 고성능·저전력 메모리 솔루션을 제공하게 됐다는 점에서 의의가 있다”고 설명했다. 가령 96GB 용량의 D램을 쓴 서버의 경우 40나노급 4Gb DDR3 D램을 탑재한 제품이 40나노급 2Gb DDR3 D램의 모델보다 전력 소비가 35%까지 줄었다는 것이다. 삼성전자는 상반기 안에 서버와 PC용 D램에서 40나노급 DDR D램 공급 비중을 90% 이상으로 끌어올릴 계획이다.



이 회사는 지난달 40나노급보다 한 단계 발전한 30나노급 생산공정 기술을 개발해 하반기 중 양산에 들어간다고 밝힌 바 있다.



이원호 기자



◆나노(nano)=1나노미터(nm)는 10억 분의 1 m. 나노 공정의 숫자가 작을수록 회로 폭이 줄어 300㎜ 웨이퍼에서 더 많은 반도체를 생산할 수 있다.
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