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이석희 “지금 176단인 낸드, 600단 이상 가능”

이석희

이석희

이석희(사진) SK하이닉스 사장이 22일 “향후 D램은 10나노미터(㎚·1㎚는 10억 분의 1m) 이하 공정에 진입하고, 낸드플래시는 600단 이상 적층이 가능하게 될 것”이라고 밝혔다. “성공적인 플랫폼 혁신이 이뤄진다면 10년 뒤”라는 전제를 달면서다.
 

세계전기전자학회 심포지엄 연설
“HDD→SSD 교체, 탄소 93% 줄여”

이석희 사장은 이날 세계전기전자학회(IEEE)가 주관한 국제신뢰성심포지엄(IRPS) 기조연설에서 “D램과 낸드 각 분야에서 기술 진화를 위해 물질과 설계 구조를 개선하고, 신뢰성 문제도 차근차근 해결하고 있다”며 이같이 말했다. SK하이닉스는 지난해 말 미국 마이크론에 이어 176단 낸드플래시 개발에 성공한 바 있다. 올 하반기에는 극자외선(EUV) 장비를 활용해 4세대 10나노급(1a) D램을 생산할 예정이다.
 
이 사장은 올해 SK그룹이 역점을 두고 있는 ‘파이낸셜 스토리(Financial Story)’ 달성을 위한 기술·사회·시대적 가치도 강조했다. 파이낸셜 스토리는 고객과 투자자, 시장 등을 대상으로 회사의 성장 전략과 미래 비전을 제시해 총체적 가치를 높여 나가자는 SK의 경영 전략이다.  
 
이 사장은 에너지·환경 문제 해결을 위한 ‘사회적 가치’와 관련해 “세계 모든 데이터센터의 하드디스크드라이브(HDD)를 2030년까지 저전력 솔리드스테이트드라이브(SSD)로 교체하면 이산화탄소 배출을 93% 줄일 수 있다”고 말했다. ‘시대적 가치’에 대해서는 “인공지능(AI) 기술을 기반으로 모든 기기가 통합되는 뉴 정보통신기술(ICT)의 시대로 진화해 갈 것”이라며 “메모리 기술은 뉴로모픽 반도체(뇌신경을 모방한 반도체)로, 스토리지 기술은 유전자(DNA) 반도체와 같은 형태로 통합될 것”이라고 전망했다.  
 
박형수 기자 hspark97@joongang.co.kr
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