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SK하이닉스, 중국 D램 생산라인 확장

SK하이닉스 D램 생산라인 C2F 준공식. [연합뉴스]

SK하이닉스 D램 생산라인 C2F 준공식. [연합뉴스]

SK하이닉스가 18일 중국 우시(無錫)에서 D램 생산라인 C2F 준공식(사진)을 개최했다고 밝혔다. 기존에 있던 D램 반도체 생산라인(C2)를 확장한 C2F는 건축 면적만 5만8000㎡(약 1만7500평) 규모다.
 

우시 반도체공장 확장해 준공

‘새로운 도약, 새로운 미래’라는 주제로 열린 이날 준공식에는 리샤오민(李小敏) 우시시 서기, 궈위엔창(郭元强) 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 협력업체 대표 등 약 500명이 참석했다.
 
SK하이닉스는 2004년 중국 장쑤성 우시시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고 2006년부터 D램 생산을 시작했다. 당시 건설된 C2는 SK하이닉스의 첫 300㎜ 팹(FAB)으로 현재까지 SK하이닉스 성장에 큰 역할을 했다고 한다. 팹은 반도체 공장을 일컫는 용어다.
 
반도체 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해지자 SK하이닉스는 2017년 6월부터 이달까지 총 9500억원을 들여 추가로 반도체 생산 공간(클린 룸)을 확보했다. 강영수 SK하이닉스 우시팹담당 전무는 “C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다”며 “C2F는 기존 C2 공장과 ‘원 팹(One FAB)’으로 운영 함으로써 우시 팹의 생산·운영 효율을 극대화할 것”이라고 말했다.
 
한 업계 관계자는 “이번 증설로 우시 공장의 D램 생산 능력은 웨이퍼 기준 기존 월 12만장 수준에서 18만장 수준으로 늘어날 것”이라며 “이에 따라 하이닉스의 D램 사업에서 중국 생산 라인이 차지하는 비중은 약 40~50%에 이를 것”이라고 말했다.
 
김영민 기자 bradkim@joongang.co.kr
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