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삼성.SK '반도체 코리아' 생산라인 건설 5곳 '진행형'

삼성전자와 SK하이닉스가 오는 2020년까지 국내외에 최소 5개 반도체 생산라인을 추가할 계획인 것으로 나타났다.

메모리 반도체 과잉공급을 우려하는 시각도 있지만 이들 업체는 신규 라인 모두 첨단 기술을 적용한 것이어서 ‘초격차’를 유지하기 위한 전략적 투자라는 설명이다.

3일 업계에 따르면 전세계 메모리 반도체 시장을 주도하는 삼성전자는 현재 가동 중인 생산라인 외에 3곳에서 반도체 생산라인 건설을 진행하고 있다.

국내에서는 경기도 화성에 EUV 라인을, 평택에 2기 메모리 라인을 각각 건설하고 있고, 중국 시안(西安)에도 기존의 V낸드와 패키지 라인 외에 두 번째 생산라인을 구축하고 있다.

화성과 시안 라인은 내년 완공해 양산 체제에 돌입할 예정이고, 평택 2기 라인은 2020년 완공이 목표다.

삼성전자는 기흥에 파운드리와 발광다이오드(LED), 화성에 낸드·D램 및 파운드리, 평택에 낸드·D램, 온양에 패키지 라인을 각각 가동하고 있다.

해외에서는 중국 시안에 V낸드, 쑤저우(蘇州)에 패키지, 미국 텍사스주 오스틴에 파운드리 라인을 각각 운용하고 있다.

1984년 준공된 기흥 반도체 1라인을 비롯해 무려 20여 생산라인이 가동하고 있거나 가동 예정돼 있어 삼성전자가 당분간 글로벌 메모리 시장 1위 자리를 뺏길 가능성은 없다는 게 업계의 대체적인 전망이다.

SK하이닉스는 오는 4일 충북 청주 테크노폴리스에서 최태원 SK그룹 회장, 박성욱 SK하이닉스 대표이사 부회장과 정부 고위 관계자 등이 참석한 가운데 M15 공장 준공식을 개최한다.

총 23만㎡ 면적에 건설 투자금액만 2조2천억 원이 투자됐으며 추가 설비투자를 포함해 단계적으로 총 15조 원이 투입되는 M15 라인에서는 이르면 올해 연말부터 낸드플래시 메모리 반도체를 주력으로 생산하게 된다.

특히 72단 3D(3차원) 낸드플래시와 함께 현재 개발단계인 5세대 96단 낸드플래시도 생산해 해외 업체와의 기술 경쟁력 격차를 벌린다는 방침이다.

이로써 SK하이닉스의 메모리 생산라인은 2005년 가동을 시작한 경기도 이천의 M10(D램)을 비롯해 청주 M11·M12(낸드), 이천 M14(D램·낸드)와 중국 우시(無錫) C2(D램)에 이어 6곳으로 늘어나게 됐다.

SK하이닉스는 이밖에도 올 연말 완공 예정으로 우시 공장의 확장 팹 공사를 진행 중이며, 이천에 차세대 첨단 미세공정인 EUV(Extreme Ultra Violet·극자외선) 장비를 도입한 M16 생산라인도 연말께 착공해 오는 2020년 10월께 완공할 계획이다.

안형철기자

<중부일보(http://www.joongboo.com)>

※위 기사는 중부일보 제휴기사로 법적인 책임과 권한은 중부일보에 있습니다.
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