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삼성전자 세계최초 '2세대 10나노급 D램' 양산

▲ 삼성전자가 세계 최초로 '1y나노 공정기반 8Gb DDR4 D램' 제품 양산을 시작한다고 20일 전했다. 초미세화 공정을 통해 생산성을 높인 동시에 제품 속도는 높이고 소비전력은 낮춘 것으로, 이를 기반으로 서버·모바일·슈퍼컴퓨터 등에 탑재되는 차세대 D램 시장을 장악한다는 전략이다. 연합
삼성전자가 세계 최초로 10나노급 2세대 D램 양산에 돌입했다.

10나노급 1세대 양산을 시작한지 21개월 만에 이룬 또 한번의 기술혁신이다.

삼성전자는 20일 “세계 최소 칩 사이즈의 10나노급(1나노는 10억분의 1m) 8기가비트 DDR4 D램을 지난달부터 양산하고 있다”면서 “역대 최고 수준의 공정개발 난제를 극복한 것”이라고 밝혔다.

이번 ‘10나노급 2세대(1y 나노) D램’ 생산은 지난해 2월 1세대(1x 나노) 양산을 선언하며 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 지 21개월만이다.

특히 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 1세대 10나노급 D램보다 생산성을 30% 가량 높일 수 있어 최근 급증하고 있는 글로벌 프리미엄 D램 수요에 대응할 수 있을 것으로 삼성 측은 기대했다.

삼성전자는 지난 2012년 개발한 2y 나노(20나노급) 4기가 DDR3보다 용량과 속도, 소비전력 효율을 2배 높인 이번 2세대 10나노급 D램 양산을 통해 일부 제품을 제외하고 전면 10나노급 D램 양산 체제로 전환한다는 계획이다.

삼성전자 관계자는 “이번 2세대 10나노급 D램 제품에는 초고속·초절전·초소형 회로 설계와 초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계, 2세대 에어 갭(Air Gap) 공정 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다”면서 “기존 1세대 10나노급에 비해 속도는 10% 이상 높아졌고, 소비전력은 15% 이상 절감할 수 있다”고 설명했다.

또 이번에 개발한 혁신 공정 기술을 바탕으로 서버용 DDR5, 모바일용 LPDDR5, 슈퍼컴퓨터용 HBM3 및 초고속 그래픽용 GDDR6 등 차세대 프리미엄 D램 양산 기반을 업계 최초로 확보했다고 자평했다.

메모리사업부 진교영 사장은 “향후 1y나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환해 초격차 경쟁력을 강화할 것”이라고 말했다.

안경환기자

<중부일보(http://www.joongboo.com)>

※위 기사는 중부일보 제휴기사로 법적인 책임과 권한은 중부일보에 있습니다.
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