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머리카락 굵기에 1만 개 회로…삼성, 10나노급 D램 시대

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삼성전자가 개발한 10나노급 D램. 기존 20나노보다 동작 속도는 30% 이상 빠르고 전력은 10~20% 덜 쓴다. [사진 삼성전자]

삼성전자가 세계 최초로 ‘10나노급 D램 반도체 시대’를 열었다.

반도체 미세기술 한계 돌파
생산성 30% 높여 양산 돌입

삼성전자는 5일 “세계 최소 크기인 10나노급 8기가비트(Gb) D램 기술을 확보해 지난 2월부터 양산을 시작했다”고 밝혔다. 1나노(nano)는 10억분의 1m를 나타내는 단위로 10 나노는 머리카락 한 올의 1만분의 1 굵기에 해당한다. 같은 크기의 웨이퍼에 보다 더 촘촘하게 회로선을 넣을수록 반도체의 생산량은 늘어난다. 10나노급 기술은 회로선과 회로선 사이의 폭을 그만큼 좁은 간격으로 그려 넣었음을 의미한다.

그간 반도체 업계에서는 10나노급 진입을 미세 기술의 한계로 여겨왔으나 삼성전자가 세계 최초로 이를 달성했다. 앞서 삼성전자는 2014년 세계 최초로 20나노 기술 개발에 성공한 바 있다. 삼성전자 관계자는 “10나노급 기술을 적용하면 20나노 기술에 비해 생산성이 30% 이상 높아진다”고 설명했다.

10나노급 D램에는 전력 소비 절감 기술도 적용됐다. 일반적으로 반도체는 동작 속도가 빠를수록 소비 전력량도 늘어난다. 삼성 측은 데이터를 빨리 제어·처리하고 난 후 반도체가 대기(idle) 상태로 자동 전환되도록 설계했다. 대기 상태에선 전력이 덜 소비되는 점에 착안했다. 삼성전자 관계자는 “10나노급은 20나노에 비해 동작 속도는 30% 이상 빠른 3200Mbps를 구현하면서도 전력은 10∼20% 덜 소비한다”고 설명했다.

삼성전자는 이 D램을 앞세워 PC·서버 시장은 물론 초고해상도 스마트폰 시장까지 선점할 계획이다.

박태희 기자 adonis55@joongang.co.kr
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