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삼성전자, 세계 첫 3세대 ‘V낸드’ 양산

삼성전자가 세계 최초로 3세대 256기가비트(Gb) ‘V낸드’ 양산에 성공했다. 갈수록 커지고 있는 낸드플래시 시장에서 기술격차를 벌려 독주체제를 공고히 하겠다는 전략이다. V낸드는 데이터를 저장하는 ‘셀(cell)’을 아파트처럼 3차원 수직 구조로 쌓아올린 낸드플래시로 세계에서 삼성전자만 양산하고 있다.

 11일 삼성전자에 따르면 3세대 V낸드는 셀을 기존 2세대 128G(32단)보다 1.5배 많은 48단까지 쌓을 수 있다. 크기는 기존 제품과 같지만, 단수가 높을수록 셀을 더 많이 쌓을 수 있기 때문에 저장용량을 256Gb까지 늘릴 수 있다. 덕분에 3세대 V낸드는 칩 하나만으로 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(GB, 1GB=8Gb) 용량의 메모리카드를 만들 수 있다. 삼성전자는 2013년 8월 최초로 V낸드(24단)를 양산한 이후 매년 한 세대씩 발전한 V낸드를 선보이고 있다.

 특히 3세대 V낸드는 2세대보다 데이터를 더욱 빠르게 저장하고 소비 전력량을 30% 이상 줄였다. 여기에 기존 양산 설비를 활용해 제품 생산성도 약 40%나 높였다. 그만큼 원가 경쟁력이 커졌다는 얘기다.

 낸드플래시는 최근 초고화질(UHD) 콘텐트 증가에 따른 저장장치의 고용량화, 하드디스크드라이브(HDD)를 대체하고 있는 솔리드스테이트드라이브(SSD) 수요 증가 등으로 서버 및 모바일용 수요가 급증하고 있다. 삼성전자가 전세계 낸드플래시 시장의 37% 가량을 차지하고 있는 상황에서 3세대 V낸드의 개발은 삼성전자의 시장 지배력을 더욱 강화시킬 것으로 예상된다.

 삼성전자에게 V낸드는 각별하다. 지금까지 삼성전자는 남이 먼저 만든 기술을 남보다 빨리 발전시키며 성장했다는 평가를 받았다. 그러나 V밴드는 삼성전자가 세계 최초로 개발한 독자 기술이다. 삼성전자가 ‘패스트 팔로워’에서 ‘퍼스트 무버’로 변하는 상징성을 지닌다.

 삼성전자는 V낸드의 경쟁력을 더욱 강화해 후발 업체들의 추격을 허용하지 않겠다는 계획이다. 이른바 ‘초격차’ 전략이다. 우선 내년 양산을 목표로 64단으로 쌓아올린 4세대 제품을 준비 중이다. 전체 낸드플래시 중 V낸드의 생산 비중도 더 끌어올릴 계획이다. 수직구조가 아닌 평면구조 제작방식을 택하고 있는 경쟁사들은 아직 V낸드를 내놓지 못하고 있는 상황이다. 삼성전자 관계자는 “빠르게 성장하는 기업 및 데이터센터 시장을 겨냥해 V낸드 기술을 적용한 차세대 SSD 라인업도 출시할 예정”이라고 말했다.

손해용 기자 sohn.yong@joongang.co.kr
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